Àrea temàtica
Química física

ca - microscòpia d'electrons d'efecte túnel de rastreig n f
ca - microscòpia d'efecte túnel n f sin. compl.
ca - microscòpia d'efecte túnel de rastreig n f sin. compl.
ca - STEM n f sigla
ca - STM n f sigla
es - microscopia de efecto túnel n f
es - microscopía de efecto túnel n f
es - STM n f sigla
en - scanning tunneling electron microscopy n
en - scanning tunneling microscopy n
en - scanning tunnelling electron microscopy n
en - scanning tunnelling microscopy n
en - STEM n sigla
en - STM n sigla

Definició
Tècnica instrumental utilitzada per a examinar superfícies de sòlids conductors que es basa en el flux d'electrons que s'estableix per efecte túnel entre un metall i la superfície que es vol examinar.

Nota
El component més important d'un microscopi d'efecte túnel és una punta de platí-rodi o tungstè que es mou sobre la superfície que s'ha d'analitzar. Quan la punta està molt a prop de la superfície i s'aplica una diferència de potencial entre els dos sistemes, s'estableix un flux d'electrons a través de l'espai que separa ambdós conductors. La intensitat del corrent que es produeix depèn acusadament de la distància entre la punta i la superfície, atès que la probabilitat que els electrons es moguin per efecte túnel decau exponencialment amb aquesta distància. Això fa que la microscòpia d'electrons d'efecte túnel de rastreig serveixi per a analitzar la topografia de les superfícies a escala atòmica.

Les sigles STEM i STM corresponen, respectivament, als equivalents anglesos scanning tunneling electron microscopy i scanning tunneling microscopy ('microscòpia d'electrons d'efecte túnel de rastreig' i 'microscòpia d'efecte túnel de rastreig', respectivament).